–20%DG302 MOSFET N-канальный TO-252 60 В 30 А Rds(on) 0.035 Ω SMD DPAK транзистор
- Готово к отправке
- Оптом и в розницу
- Код: MK2968
25 ₴
20 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
- +380 (95) 364-33-62Менеджер
DG302 MOSFET N-канальный TO-252 60 В 30 А Rds(on) 0.035 Ω SMD DPAK транзистор
DG302 — силовой N-канальный MOSFET в корпусе TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа. Применяется в источниках питания, инверторах, LED-драйверах и промышленной электронике, обеспечивая коммутацию токов до 30 А при напряжении до 60 В и низкие потери за счет малого Rds(on) около 0.035 Ω.
Корпус TO-252 (DPAK) упрощает монтаж и способствует эффективному отводу тепла. Низкое сопротивление открытого канала помогает повысить КПД и снизить нагрев в силовых ключевых режимах.
Характеристики:
- Тип: N-канальный MOSFET
- Модель: DG302
- Корпус: TO-252 (DPAK, SMD)
- Напряжение сток-сток: 60 В
- Ток стока: до 30 А
- Сопротивление канала Rds(on): ~0.035 Ω
- Рабочая температура: -55…+150 °C
- Ориентировочные размеры корпуса: 6.5×6.1×2.4 мм
- Состояние: Новый
Применение:
- Источники питания и DC-DC преобразователи
- Инверторы и силовые ключи
- LED-драйверы
- Промышленная электроника
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Канал транзистора | N-канал |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 30 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 35 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
| Минимальная рабочая температура | -50 град. |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Назва товару | DG302 MOSFET N-канальный TO-252 60 В 30 А Rds(on) 0.035 Ω SMD DPAK транзистор |
- Цена: 20 ₴



