Корзина

Спасибо за ваше обращение ❤️ Все заказы и сообщения, оформленные в нерабочее время, будут обработаны в ближайшее рабочее время.

+380 (96) 703-01-39
+380 (95) 364-33-62
Evelex Store
Корзина
влево
  • IGBT транзистор G40N60UFD 600 В 80 А TO-247 ON Semiconductor высокоскоростной низкие потери, фото 2
  • IGBT транзистор G40N60UFD 600 В 80 А TO-247 ON Semiconductor высокоскоростной низкие потери, фото 3
вправо
IGBT транзистор G40N60UFD 600 В 80 А TO-247 ON Semiconductor высокоскоростной низкие потери, фото 1 –20%

IGBT транзистор G40N60UFD 600 В 80 А TO-247 ON Semiconductor высокоскоростной низкие потери

  • Готово к отправке
  • Оптом и в розницу
  • Код: MK2950

108,75 ₴

87 ₴

Показать оптовые цены

Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴

+380 (96) 703-01-39
Менеджер
  • +380 (95) 364-33-62
    Менеджер
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT транзистор G40N60UFD 600 В 80 А TO-247 ON Semiconductor высокоскоростной низкие потери
IGBT транзистор G40N60UFD 600 В 80 А TO-247 ON Semiconductor высокоскоростной низкие потериГотово к отправке
108,75 ₴87 ₴
+380 (96) 703-01-39
Менеджер
  • +380 (95) 364-33-62
    Менеджер
Описание
Характеристики
Информация для заказа

IGBT транзистор G40N60UFD 600 В 80 А TO-247 ON Semiconductor высокоскоростной низкие потери

G40N60UFD от ON Semiconductor — IGBT транзистор для высокочастотных силовых схем. Сочетает низкие коммутационные потери и высокую скорость переключения, подходит для инверторов, источников питания, сварочных аппаратов, UPS и промышленной электроники. Корпус TO-247 упрощает монтаж на радиатор и улучшает теплоотвод.

Элемент рассчитан на максимальное напряжение 600 В и ток 80 А, что позволяет использовать его в ответственных узлах преобразователей. Оптимизированная структура снижает потери при переключении и обеспечивает стабильную работу оборудования в сложных условиях.

Характеристики:

  • Тип: IGBT транзистор
  • Маркировка: G40N60UFD
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Максимальное напряжение: 600 В
  • Максимальный ток: 80 А
  • Корпус: TO-247
  • Габариты: 18,8×15,3×4,8 мм
  • Применение: инверторы, UPS, источники питания, сварочные аппараты, промышленная электроника
  • Особенности: высокая скорость переключения, низкие потери
  • Состояние: Новый
  • Максимально допустимый ток стока (А): 120
  • Максимально допустимое напряжение затвор-исток (В): 600

Применение:

  • Инверторные преобразователи
  • Источники питания и UPS
  • Сварочные аппараты
  • Промышленная силовая электроника
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Страна производительКитай
Максимально допустимое напряжение затвор-исток600 В
Максимально допустимый ток стока120 А
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер600 В
Тип монтажаВставной
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Назва товаруIGBT транзистор G40N60UFD 600 В 80 А TO-247 ON Semiconductor высокоскоростной низкие потери
  • Цена: 87 ₴