–20%IGBT транзистор G40N60UFD 600 В 80 А TO-247 ON Semiconductor высокоскоростной низкие потери
- Готово к отправке
- Оптом и в розницу
- Код: MK2950
108,75 ₴
87 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
- +380 (95) 364-33-62Менеджер
IGBT транзистор G40N60UFD 600 В 80 А TO-247 ON Semiconductor высокоскоростной низкие потери
G40N60UFD от ON Semiconductor — IGBT транзистор для высокочастотных силовых схем. Сочетает низкие коммутационные потери и высокую скорость переключения, подходит для инверторов, источников питания, сварочных аппаратов, UPS и промышленной электроники. Корпус TO-247 упрощает монтаж на радиатор и улучшает теплоотвод.
Элемент рассчитан на максимальное напряжение 600 В и ток 80 А, что позволяет использовать его в ответственных узлах преобразователей. Оптимизированная структура снижает потери при переключении и обеспечивает стабильную работу оборудования в сложных условиях.
Характеристики:
- Тип: IGBT транзистор
- Маркировка: G40N60UFD
- Производитель: ON Semiconductor
- Максимальное напряжение: 600 В
- Максимальный ток: 80 А
- Корпус: TO-247
- Габариты: 18,8×15,3×4,8 мм
- Применение: инверторы, UPS, источники питания, сварочные аппараты, промышленная электроника
- Особенности: высокая скорость переключения, низкие потери
- Состояние: Новый
- Максимально допустимый ток стока (А): 120
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток (В): 600
Применение:
- Инверторные преобразователи
- Источники питания и UPS
- Сварочные аппараты
- Промышленная силовая электроника
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Тип монтажа | Вставной |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Назва товару | IGBT транзистор G40N60UFD 600 В 80 А TO-247 ON Semiconductor высокоскоростной низкие потери |
- Цена: 87 ₴



