
IGBT транзистор FGA25N120ANTD 1200 В 50 А TO-3P ON Semiconductor
- Нет в наличии
- Оптом и в розницу
- Код: MK2948
55 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
- +380 (95) 364-33-62Менеджер
IGBT транзистор FGA25N120ANTD 1200 В 50 А TO-3P ON Semiconductor
Мощный IGBT транзистор для силовой электроники и преобразователей. Модель FGA25N120ANTD от ON Semiconductor рассчитана на максимальное напряжение 1200 В и ток 50 А, сочетает высокую скорость переключения с низкими потерями. Корпус TO-3P обеспечивает удобный монтаж на радиатор и эффективный теплоотвод при тяжелых режимах.
Рекомендуется для применения в инверторах, источниках бесперебойного питания, преобразователях и сварочных аппаратах, где важны надежность и стабильность при высоких нагрузках.
Характеристики:
- Тип: IGBT транзистор
- Маркировка: FGA25N120 ANTD
- Производитель: ON Semiconductor
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Максимальный ток: 50 А
- Корпус: TO-3P
- Назначение: инверторы, UPS, сварочные аппараты, промышленная электроника
- Высокая скорость переключения и низкие потери
- Состояние: Новый
- Максимально допустимый ток стока (А): 50
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток (В): 1000
Применение:
- Инверторы и преобразователи
- Источники бесперебойного питания UPS
- Сварочные аппараты
- Промышленные силовые модули и системы управления
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 1000 В |
| Максимально допустимый ток стока | 50 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Назва товару | IGBT транзистор FGA25N120ANTD 1200 В 50 А TO-3P ON Semiconductor |
- Цена: 55 ₴




