Корзина

Спасибо за ваше обращение ❤️ Все заказы и сообщения, оформленные в нерабочее время, будут обработаны в ближайшее рабочее время.

+380 (96) 703-01-39
+380 (95) 364-33-62
Evelex Store
Корзина
влево
  • MOSFET G042N10 N-канальный 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовой транзистор для импульсных БП и инверторов, фото 2
  • MOSFET G042N10 N-канальный 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовой транзистор для импульсных БП и инверторов, фото 3
  • MOSFET G042N10 N-канальный 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовой транзистор для импульсных БП и инверторов, фото 4
вправо
MOSFET G042N10 N-канальный 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовой транзистор для импульсных БП и инверторов, фото 1

MOSFET G042N10 N-канальный 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовой транзистор для импульсных БП и инверторов

  • Нет в наличии
  • Оптом и в розницу
  • Код: MK2840

60 ₴

Показать оптовые цены

Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴

+380 (96) 703-01-39
Менеджер
  • +380 (95) 364-33-62
    Менеджер
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
MOSFET G042N10 N-канальный 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовой транзистор для импульсных БП и инверторов
MOSFET G042N10 N-канальный 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовой транзистор для импульсных БП и инверторовНет в наличии
60 ₴
+380 (96) 703-01-39
Менеджер
  • +380 (95) 364-33-62
    Менеджер
Описание
Характеристики
Информация для заказа

MOSFET G042N10 N-канальный 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовой транзистор для импульсных БП и инверторов

N-канальный MOSFET G042N10 предназначен для силовых преобразователей и высокотоковых ключей. Работает при VDS до 100V и токе до 60A, имеет низкое сопротивление канала около 0.022 Ом и рассеиваемую мощность до 110W. Корпус TO-220 удобен для установки на радиатор и проводного монтажа.

Компонент подходит для импульсных блоков питания, инверторов, преобразователей и управления двигателями. Диапазон порогового напряжения Vgs(th) 2-4V упрощает проектирование драйверной ступени для уверенного открытия транзистора в силовых схемах.

Характеристики:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Напряжение VDS: 100V
  • Ток ID: 60A
  • Сопротивление Rds(on): ~0.022 Ом
  • Мощность PD: до 110W
  • Корпус: TO-220
  • Пороговое напряжение Vgs(th): 2-4V
  • Назначение: импульсные блоки питания, преобразователи, инверторы, сварочные аппараты
  • Состояние: Новый
  • Тип монтажа: Пайка волной

Применение:

  • Импульсные БП и DC-DC преобразователи
  • Инверторы и сварочные аппараты
  • Управление электродвигателями и мощные ключи
Основные
ПроизводительPD
Страна производительКитай
Канал транзистораN-канал
Максимальная мощность рассеивания110 Вт
Максимально допустимое напряжение сток-исток100 В
Максимально допустимый ток стока60 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)22 mOm
Тип монтажаПайка волной
Тип транзистораПолевой
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Назва товаруMOSFET G042N10 N-канальный 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовой транзистор для импульсных БП и инверторов
  • Цена: 60 ₴