–20%DG302 MOSFET N-канальний TO-252 60 В 30 А Rds(on) 0.035 Ω SMD DPAK транзистор
- Готово до відправки
- Оптом і в роздріб
- Код: MK2968
25 ₴
20 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
- +380 (95) 364-33-62Менеджер
DG302 MOSFET N-канальний TO-252 60 В 30 А Rds(on) 0.035 Ω SMD DPAK транзистор
DG302 — силовий N-канальний MOSFET у корпусі TO-252 (DPAK) для поверхневого монтажу. Підходить для перетворювачів і джерел живлення, інверторних рішень, LED-драйверів і промислової електроніки, де потрібні низькі втрати на відкритому каналі та струми до 30 А при напрузі до 60 В.
Корпус TO-252 забезпечує ефективне тепловідведення і зручний монтаж на платі. Низький опір каналу близько 0.035 Ω допомагає підвищити ККД та зменшити нагрів у високострумових ключових режимах.
Характеристики:
- Тип: N-канальний MOSFET
- Модель: DG302
- Корпус: TO-252 (DPAK, SMD)
- Напруга стік-стік: 60 В
- Струм стоку: до 30 А
- Опір відкритого каналу Rds(on): ~0.035 Ω
- Робоча температура: -55…+150 °C
- Орієнтовні розміри корпусу: 6.5×6.1×2.4 мм
- Стан: Новий
Застосування:
- Блоки живлення та DC-DC перетворювачі
- Інвертори й силові ключі
- LED-драйвери
- Промислова електроніка
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Канал транзистора | N-канал |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 35 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
| Мінімальна робоча температура | -50 град. |
| Стан | Новий |
| Визначені користувачем характеристики | |
| Назва товару | DG302 MOSFET N-канальний TO-252 60 В 30 А Rds (on) 0.035 Ω SMD DPAK транзистор |
- Ціна: 20 ₴



