Кошик

Дякуємо за ваше звернення ❤️ Усі замовлення та повідомлення, оформлені в неробочий час, будуть оброблені найближчим робочим часом.

+380 (96) 703-01-39
+380 (95) 364-33-62
"Evelex Store"
Кошик
влево
  • DG302 MOSFET N-канальний TO-252 60 В 30 А Rds(on) 0.035 Ω SMD DPAK транзистор, фото 2
  • DG302 MOSFET N-канальний TO-252 60 В 30 А Rds(on) 0.035 Ω SMD DPAK транзистор, фото 3
вправо
DG302 MOSFET N-канальний TO-252 60 В 30 А Rds(on) 0.035 Ω SMD DPAK транзистор, фото 1 –20%

DG302 MOSFET N-канальний TO-252 60 В 30 А Rds(on) 0.035 Ω SMD DPAK транзистор

  • Готово до відправки
  • Оптом і в роздріб
  • Код: MK2968

25 ₴

20 ₴

Показати оптові ціни

Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴

+380 (96) 703-01-39
Менеджер
  • +380 (95) 364-33-62
    Менеджер
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
DG302 MOSFET N-канальний TO-252 60 В 30 А Rds(on) 0.035 Ω SMD DPAK транзистор
DG302 MOSFET N-канальний TO-252 60 В 30 А Rds(on) 0.035 Ω SMD DPAK транзисторГотово до відправки
25 ₴20 ₴
+380 (96) 703-01-39
Менеджер
  • +380 (95) 364-33-62
    Менеджер
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

DG302 MOSFET N-канальний TO-252 60 В 30 А Rds(on) 0.035 Ω SMD DPAK транзистор

DG302 — силовий N-канальний MOSFET у корпусі TO-252 (DPAK) для поверхневого монтажу. Підходить для перетворювачів і джерел живлення, інверторних рішень, LED-драйверів і промислової електроніки, де потрібні низькі втрати на відкритому каналі та струми до 30 А при напрузі до 60 В.

Корпус TO-252 забезпечує ефективне тепловідведення і зручний монтаж на платі. Низький опір каналу близько 0.035 Ω допомагає підвищити ККД та зменшити нагрів у високострумових ключових режимах.

Характеристики:

  • Тип: N-канальний MOSFET
  • Модель: DG302
  • Корпус: TO-252 (DPAK, SMD)
  • Напруга стік-стік: 60 В
  • Струм стоку: до 30 А
  • Опір відкритого каналу Rds(on): ~0.035 Ω
  • Робоча температура: -55…+150 °C
  • Орієнтовні розміри корпусу: 6.5×6.1×2.4 мм
  • Стан: Новий

Застосування:

  • Блоки живлення та DC-DC перетворювачі
  • Інвертори й силові ключі
  • LED-драйвери
  • Промислова електроніка
Основні
Країна виробникКитай
Канал транзистораN-канал
Максимально допустима напруга стік-витік60 В
Максимально допустимий струм стоку30 А
Опір у відкритому стані (Rds)35 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Додаткові характеристики
Максимальна робоча температура150 град.
Мінімальна робоча температура-50 град.
СтанНовий
Визначені користувачем характеристики
Назва товаруDG302 MOSFET N-канальний TO-252 60 В 30 А Rds (on) 0.035 Ω SMD DPAK транзистор
  • Ціна: 20 ₴