–20%IGBT транзистор G40N60UFD 600 В 80 А TO-247 ON Semiconductor високошвидкісний низькі втрати
- Готово до відправки
- Оптом і в роздріб
- Код: MK2950
108,75 ₴
87 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
- +380 (95) 364-33-62Менеджер
IGBT транзистор G40N60UFD 600 В 80 А TO-247 ON Semiconductor високошвидкісний низькі втрати
G40N60UFD від ON Semiconductor — IGBT транзистор для високочастотних силових схем. Поєднує низькі комутаційні втрати та високу швидкість перемикання, що підходить для інверторів, джерел живлення, зварювальних апаратів, UPS і промислової електроніки. Корпус TO-247 забезпечує надійний тепловідвід і зручний монтаж на радіатор.
Елемент розрахований на максимальну напругу 600 В і струм 80 А, що дозволяє застосовувати його у відповідальних вузлах перетворювачів. Завдяки оптимізованій структурі транзистор зменшує втрати на перемиканні та сприяє стабільній роботі обладнання в складних умовах.
Характеристики:
- Тип: IGBT транзистор
- Маркування: G40N60UFD
- Виробник: ON Semiconductor
- Максимальна напруга: 600 В
- Максимальний струм: 80 А
- Корпус: TO-247
- Габарити: 18,8×15,3×4,8 мм
- Застосування: інвертори, UPS, джерела живлення, зварювальні апарати, промислова електроніка
- Особливості: висока швидкість перемикання, низькі втрати
- Стан: Новий
- Максимально допустимий струм стоку (А): 120
- Максимально допустима напруга затвор-витік (В): 600
Застосування:
- Інверторні перетворювачі
- Джерела живлення і UPS
- Зварювальні апарати
- Промислова силова електроніка
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Тип монтажу | Вставний |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Визначені користувачем характеристики | |
| Назва товару | IGBT транзистор G40N60UFD 600 В 80 А TO-247 ON Semiconductor високошвидкісної низькі втрати |
- Ціна: 87 ₴
