влевовправо
IGBT транзистор FGA25N120ANTD 1200 В 50 А TO-3P ON Semiconductor
- Немає в наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: MK2948
55 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
+380 (96) 703-01-39
Менеджер
- +380 (95) 364-33-62Менеджер
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
IGBT транзистор FGA25N120ANTD 1200 В 50 А TO-3P ON SemiconductorНемає в наявності
55 ₴
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IGBT транзистор FGA25N120ANTD 1200 В 50 А TO-3P ON Semiconductor
Потужний IGBT транзистор для силових перетворювачів і промислової електроніки. Модель FGA25N120ANTD від ON Semiconductor розрахована на максимальну напругу 1200 В і струм 50 А, поєднує високу швидкість перемикання з низькими втратами. Корпус TO-3P спрощує монтаж на радіатор і покращує тепловідведення у важких режимах.
Рекомендований для застосування в інверторах, джерелах безперебійного живлення, перетворювачах і зварювальних апаратах, де потрібні надійність та стабільність при високих навантаженнях.
Характеристики:
- Тип: IGBT транзистор
- Маркування: FGA25N120 ANTD
- Виробник: ON Semiconductor
- Максимальна напруга: 1200 В
- Максимальний струм: 50 А
- Корпус: TO-3P
- Призначення: інвертори, UPS, зварювальні апарати, промислова електроніка
- Висока швидкість перемикання та низькі втрати
- Стан: Новий
- Максимально допустимий струм стоку (А): 50
- Максимально допустима напруга затвор-витік (В): 1000
Застосування:
- Інвертори та перетворювачі
- Джерела безперебійного живлення UPS
- Зварювальні апарати
- Промислові силові модулі та системи керування
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Визначені користувачем характеристики | |
| Назва товару | IGBT транзистор FGA25N120ANTD 1200 В 50 А TO-3P ON Semiconductor |
- Ціна: 55 ₴
