
MOSFET G042N10 N-канальний 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовий транзистор для імпульсних БЖ та інверторів
- Немає в наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: MK2840
60 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
- +380 (95) 364-33-62Менеджер
MOSFET G042N10 N-канальний 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовий транзистор для імпульсних БЖ та інверторів
N-канальний MOSFET G042N10 призначений для силових перетворювачів та високострумових ключів. Працює при VDS до 100V та струмі до 60A, має низький опір каналу близько 0.022 Ом і розсіювану потужність до 110W. Виконання в корпусі TO-220 зручне для монтажу на радіатор і класичного дротового підключення.
Компонент підходить для імпульсних блоків живлення, інверторів, перетворювачів та керування двигунами. Діапазон порогової напруги Vgs(th) 2-4V дозволяє будувати ефективні драйверні каскади для надійного відкривання транзистора у силових схемах.
Характеристики:
- Тип: N-канальний MOSFET
- Напруга VDS: 100V
- Струм ID: 60A
- Опір Rds(on): ~0.022 Ом
- Потужність PD: до 110W
- Корпус: TO-220
- Порогова напруга Vgs(th): 2-4V
- Призначення: імпульсні блоки живлення, перетворювачі, інвертори, зварювальні апарати
- Стан: Новий
- Тип монтажу: Пайка хвилею
Застосування:
- Імпульсні блоки живлення та DC-DC перетворювачі
- Інвертори та зварювальні апарати
- Керування електродвигунами і високострумові ключі
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
| Країна виробник | Китай |
| Канал транзистора | N-канал |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 22 mOm |
| Тип монтажу | Пайка хвилею |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Визначені користувачем характеристики | |
| Назва товару | MOSFET G042N10 N-канальний 100V 60A Rds (on) 0.022 Ом TO-220 силовий транзисстор для імпульсних БЖ та інверторів |
- Ціна: 60 ₴




