Кошик

Дякуємо за ваше звернення ❤️ Усі замовлення та повідомлення, оформлені в неробочий час, будуть оброблені найближчим робочим часом.

+380 (96) 703-01-39
+380 (95) 364-33-62
"Evelex Store"
Кошик
влево
  • MOSFET G042N10 N-канальний 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовий транзистор для імпульсних БЖ та інверторів, фото 2
  • MOSFET G042N10 N-канальний 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовий транзистор для імпульсних БЖ та інверторів, фото 3
  • MOSFET G042N10 N-канальний 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовий транзистор для імпульсних БЖ та інверторів, фото 4
вправо
MOSFET G042N10 N-канальний 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовий транзистор для імпульсних БЖ та інверторів, фото 1

MOSFET G042N10 N-канальний 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовий транзистор для імпульсних БЖ та інверторів

  • Немає в наявності
  • Оптом і в роздріб
  • Код: MK2840

60 ₴

Показати оптові ціни

Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴

+380 (96) 703-01-39
Менеджер
  • +380 (95) 364-33-62
    Менеджер
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
MOSFET G042N10 N-канальний 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовий транзистор для імпульсних БЖ та інверторів
MOSFET G042N10 N-канальний 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовий транзистор для імпульсних БЖ та інверторівНемає в наявності
60 ₴
+380 (96) 703-01-39
Менеджер
  • +380 (95) 364-33-62
    Менеджер
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

MOSFET G042N10 N-канальний 100V 60A Rds(on) 0.022 Ом TO-220 силовий транзистор для імпульсних БЖ та інверторів

N-канальний MOSFET G042N10 призначений для силових перетворювачів та високострумових ключів. Працює при VDS до 100V та струмі до 60A, має низький опір каналу близько 0.022 Ом і розсіювану потужність до 110W. Виконання в корпусі TO-220 зручне для монтажу на радіатор і класичного дротового підключення.

Компонент підходить для імпульсних блоків живлення, інверторів, перетворювачів та керування двигунами. Діапазон порогової напруги Vgs(th) 2-4V дозволяє будувати ефективні драйверні каскади для надійного відкривання транзистора у силових схемах.

Характеристики:

  • Тип: N-канальний MOSFET
  • Напруга VDS: 100V
  • Струм ID: 60A
  • Опір Rds(on): ~0.022 Ом
  • Потужність PD: до 110W
  • Корпус: TO-220
  • Порогова напруга Vgs(th): 2-4V
  • Призначення: імпульсні блоки живлення, перетворювачі, інвертори, зварювальні апарати
  • Стан: Новий
  • Тип монтажу: Пайка хвилею

Застосування:

  • Імпульсні блоки живлення та DC-DC перетворювачі
  • Інвертори та зварювальні апарати
  • Керування електродвигунами і високострумові ключі
Основні
ВиробникPD
Країна виробникКитай
Канал транзистораN-канал
Максимальна потужність розсіювання110 Вт
Максимально допустима напруга стік-витік100 В
Максимально допустимий струм стоку60 А
Опір у відкритому стані (Rds)22 mOm
Тип монтажуПайка хвилею
Тип транзистораПольовий
Додаткові характеристики
СтанНовий
Визначені користувачем характеристики
Назва товаруMOSFET G042N10 N-канальний 100V 60A Rds (on) 0.022 Ом TO-220 силовий транзисстор для імпульсних БЖ та інверторів
  • Ціна: 60 ₴